فایل ورد مقاله طراحي تقويت کنندهLow power CMOSکم نويز باندگسترده با تکنيک حذف نويز

لینک دانلود

 فایل ورد مقاله طراحي تقويت کنندهLow power CMOSکم نويز باندگسترده با تکنيک حذف نويز دارای 10 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد مقاله طراحي تقويت کنندهLow power CMOSکم نويز باندگسترده با تکنيک حذف نويز  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي فایل ورد مقاله طراحي تقويت کنندهLow power CMOSکم نويز باندگسترده با تکنيک حذف نويز،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد


بخشی از متن فایل ورد مقاله طراحي تقويت کنندهLow power CMOSکم نويز باندگسترده با تکنيک حذف نويز :


محل انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
تعداد صفحات:10
نویسنده(ها):
حاتم محمدی کامروا – استاد دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محمدجعفر کارگر – دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

چکیده:
این مقاله طرحی را برای یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باندCMOSو با توان کم ارائه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیندTSMC 0.18 m RFاستفاده می کندUWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد. این ساختار، همان مقدار جریانDC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند.تکنیک تنظیم یک در میان که برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس مورد نظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا راروی کل پهنای باند ازGHz 3.1 تا GHz10.6 داشته باشیم. نقاط تشدید درGHz 3 تا GHz10 تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی (برگشتی) را موجب شوند. و تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شده که توسط اولین ترانزیستور تولید می شوند. نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواختS21 > 10 dBرا با یک تطبیق امپدانس ورودی خوب کمتر ازdB-10 و نیز یک مینیمم رقم نویز 2dBرا روی کل باند نشان می دهندUWB LNAپیشنهادیmW15.2 از یک منبع توان V1.8 را مصرف می کند

توضیحات بیشتر