فایل ورد مقاله طراحي مدار هاي ترکيبي عملکرد بالا توسط مواد نانو الکترونيک همراه باcMOS

لینک دانلود

 فایل ورد مقاله طراحي مدار هاي ترکيبي عملکرد بالا توسط مواد نانو الکترونيک همراه باcMOS دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد مقاله طراحي مدار هاي ترکيبي عملکرد بالا توسط مواد نانو الکترونيک همراه باcMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي فایل ورد مقاله طراحي مدار هاي ترکيبي عملکرد بالا توسط مواد نانو الکترونيک همراه باcMOS،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد


بخشی از متن فایل ورد مقاله طراحي مدار هاي ترکيبي عملکرد بالا توسط مواد نانو الکترونيک همراه باcMOS :


محل انتشار: دومین همایش ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
تعداد صفحات:8
نویسنده(ها):
علیرضا پولادی – مدیریت نظارت و آزمایش و تحویل در شرکت مخابرات استان کرمان کارشناسی ارشد برق –الکترونیک دانشگاه شهیدباهنر کرمان

چکیده:
نانوالکترون ها با CMOSسیلیکون در مدارهای ترکیبی با عملکرد بالا جایگزین می شوند. برای رسیدن به این هدف , سرمایه گذاری قابل توجهی در تحقیق و توسعه ی وسایل جدید نانوالکترونیک و تکنیک های ساخت در حال انجام است. وقتی که این تکنولوژی ها رشد کنند, آنهامی توانند برای تولید آینده ی سیستم های الکترونیک به کار برده شوند. در این متن ما دو طرح بالقوه را برای طراحی FPGAهای نانوالکترونیک مقایسه می کنیم. با ارزیابی عملکرد وسایل نانوالکتریک در سطح سیستم ها , هدف ما ایجاد راهنمایی برای کاربرد موثرآنها می باشد

توضیحات بیشتر